隨著電子信息產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，薄膜科學(xué)應(yīng)用日益廣泛。濺射法是制備薄膜材料的主要技術(shù)之一，濺射沉積薄膜的源材料即為靶材。用靶材濺射沉積的薄膜致密度高，附著性好。靶材的性能要求與制備工藝看一下介紹。
【靶材的性能要求與制備工藝】
1、靶材的性能要求
靶材制約著濺鍍薄膜的物理、力學(xué)性能，影響鍍膜質(zhì)量，因而靶材質(zhì)量評(píng)價(jià)較為嚴(yán)格，主要應(yīng)滿足如下要求；
1)雜質(zhì)含量低，純度高。靶材的純度影響薄膜的均勻性。
2)高致密度。高致密度靶材具有導(dǎo)電、導(dǎo)熱性好、強(qiáng)度高等優(yōu)點(diǎn)，使用這種靶材鍍膜，濺射功率小，成膜速率高，薄膜不易開裂，靶材使用壽命長，而且濺鍍薄膜的電阻率低，透光率高。
3)成分與組織結(jié)構(gòu)均勻。靶材成分均勻是鍍膜質(zhì)量穩(wěn)定的重要保證。
4)晶粒尺寸細(xì)小。靶的晶粒尺寸越細(xì)小，濺鍍薄膜的厚度分布越均勻，濺射速率越快。正因?yàn)榘胁脑谛阅苌嫌猩鲜鲋T多特殊要求，導(dǎo)致其制備工藝較為復(fù)雜。
2、靶材的制備工藝
目前制備靶材的方法主要有鑄造法和粉末冶金法。
鑄造法；將一定成分配比的合金原料熔煉，再將合金熔液澆注于模具中，形成鑄錠，最后經(jīng)機(jī)械加工制成靶材。鑄造法在真空中熔煉、鑄造。常用的熔煉方法有真空感應(yīng)熔煉、真空電弧熔煉和真空電子轟擊熔煉等。其優(yōu)點(diǎn)是靶材雜質(zhì)含量(特別是氣體雜質(zhì)含量)低，密度高，可大型化；缺點(diǎn)是對(duì)熔點(diǎn)和密度相差較大的兩種或兩種以上金屬，普通熔煉法難以獲得成分均勻的合金靶材。
粉末冶金法；將一定成分配比的合金原料熔煉，澆注成鑄錠后再粉碎，將粉碎形成的粉末經(jīng)等靜壓成形，再高溫?zé)Y(jié)，最終形成靶材。粉末冶金法的優(yōu)點(diǎn)是靶材成分均勻；缺點(diǎn)是密度低，雜質(zhì)含量高等。常用的粉末冶金工藝包括冷壓、真空熱壓和熱等靜壓等。
【靶材的性能要求與制備工藝】
1、靶材的性能要求
靶材制約著濺鍍薄膜的物理、力學(xué)性能，影響鍍膜質(zhì)量，因而靶材質(zhì)量評(píng)價(jià)較為嚴(yán)格，主要應(yīng)滿足如下要求；
1)雜質(zhì)含量低，純度高。靶材的純度影響薄膜的均勻性。
2)高致密度。高致密度靶材具有導(dǎo)電、導(dǎo)熱性好、強(qiáng)度高等優(yōu)點(diǎn)，使用這種靶材鍍膜，濺射功率小，成膜速率高，薄膜不易開裂，靶材使用壽命長，而且濺鍍薄膜的電阻率低，透光率高。
3)成分與組織結(jié)構(gòu)均勻。靶材成分均勻是鍍膜質(zhì)量穩(wěn)定的重要保證。
4)晶粒尺寸細(xì)小。靶的晶粒尺寸越細(xì)小，濺鍍薄膜的厚度分布越均勻，濺射速率越快。正因?yàn)榘胁脑谛阅苌嫌猩鲜鲋T多特殊要求，導(dǎo)致其制備工藝較為復(fù)雜。
2、靶材的制備工藝
目前制備靶材的方法主要有鑄造法和粉末冶金法。
鑄造法；將一定成分配比的合金原料熔煉，再將合金熔液澆注于模具中，形成鑄錠，最后經(jīng)機(jī)械加工制成靶材。鑄造法在真空中熔煉、鑄造。常用的熔煉方法有真空感應(yīng)熔煉、真空電弧熔煉和真空電子轟擊熔煉等。其優(yōu)點(diǎn)是靶材雜質(zhì)含量(特別是氣體雜質(zhì)含量)低，密度高，可大型化；缺點(diǎn)是對(duì)熔點(diǎn)和密度相差較大的兩種或兩種以上金屬，普通熔煉法難以獲得成分均勻的合金靶材。
粉末冶金法；將一定成分配比的合金原料熔煉，澆注成鑄錠后再粉碎，將粉碎形成的粉末經(jīng)等靜壓成形，再高溫?zé)Y(jié)，最終形成靶材。粉末冶金法的優(yōu)點(diǎn)是靶材成分均勻；缺點(diǎn)是密度低，雜質(zhì)含量高等。常用的粉末冶金工藝包括冷壓、真空熱壓和熱等靜壓等。